Новое семейство транзисторов XR имеет лучшие в своем классе надежность и рабочие характеристики при обычной цене.
Эйндховен, Нидерланды и Балтимор, Мэриленд. – Компания NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) представила свое новое семейство XR («eXtremely Rugged» – чрезвычайно надежных) мощных СВЧ LDMOS транзисторов, предназначенных для самых требовательных инженерных решений. Высокопрочная конструкция транзисторов семейства XR обеспечивает их безотказную работу в жестких условиях, которые часто встречаются в промышленных лазерах, при травлении металлов или сверлении бетона. Семейство XR, созданное на базе лучшей в отрасли технологии LDMOS компании NXP, способствует проникновению этой технологии в те области, где до сих пор использовались транзисторы VDMOS и биполярные транзисторы. Компания NXP продемонстрирует свой первый мощный СВЧ транзистор XR BLF578XR на этой неделе в рамках международного симпозиума IEEE MTT-S International Microwave Symposium 2011 (IMS2011) в Балтиморе, штат Мэриленд (киоск №420).
Внезапные и сильные возмущения нагрузки – обычное явление для некоторых силовых СВЧ приложений. Мощные СВЧ транзисторы должны преодолевать их без отказа или ухудшения характеристик на протяжении многолетней интенсивной эксплуатации. Подобные возмущения воспроизводят в лабораторных условиях, создавая на стороне нагрузки вынужденные рассогласования, степень которых характеризуется коэффициентом стоячей волны по напряжению (КСВН). В большинстве приложений для базовых и вещательных станций требуются надежные силовые СВЧ транзисторы, выдерживающие КСВН 10:1 по всем фазам, тогда как чрезвычайно надежный транзистор BLF578XR легко переносит повторяющиеся тесты с КСВН 125:1 – это наивысший уровень, который способно измерить тестовое оборудование. Данная характеристика особенно важна для отдельных ISM-приложений, которым необходим мощный СВЧ транзистор, прошедший тесты с КСВН более 100:1.
«Наше новое семейство eXtremely Rugged демонстрирует лучшую в своем классе надежность, открывая для мощных СВЧ транзисторов новые рынки, которые раньше нельзя было себе даже представить. Тесты рассогласования показали, что BLF578XR способен выдержать КСВН 125:1, эти результаты говорят сами за себя. Чтобы подтвердить надежность семейства XR, мы пошли еще на шаг дальше и воспроизвели множество экстремальных условий отказа – при этом рабочие характеристики BLF578XR никак не изменились. Мы приглашаем инженеров, использующих мощные СВЧ компоненты, увидеть всё своими глазами – на выставке IMS2011, в нашем видеоролике о «безотказном» транзисторе и в своих лабораториях, – заявил Марк Мёрфи (Mark Murphy), директор подразделения мощной СВЧ продукции, компания NXP Semiconductors. – Компания NXP, которая является ведущим поставщиком массовой продукции на этом рынке уже более 15 лет, продолжает раздвигать границы высокопроизводительных радиочастотных технологий, предлагая лучшие характеристики технологии LDMOS с надежностью уровня VDMOS без какого-либо увеличения цены».
Новый транзистор BLF578XR является чрезвычайно надежной версией популярного мощного СВЧ транзистора NXP BLF578, основного элемента различных широковещательных и ISM-приложений. В большинстве случаев транзистор BLF578XR можно будет легко использовать в качестве замены транзистора BLF578.
Технические характеристики
Мощный транзистор BLF578XR c технологией LDMOS – самой эффективной технологией компании NXP, предназначен для приложений, которым требуется исключительно высокая надежность.
• Частотный диапазон: от 0 до 500 МГц
• Коэффициент усиления: 24 дБ при 225 МГц
• Эффективность: 70% при 225 МГц
• КСВН: 125:1 при мощности 1200 Вт по всем фазам
• Пиковая выходная мощность: 1400 Вт (в импульсном режиме)
• Улучшенные тепловые характеристики: 0,14 K/Вт
Наличие
Образцы мощных транзисторов NXP BLF578XR имеются в наличии уже сегодня, их массовые отгрузки начнутся в III квартале 2011 года.
