Сегодня Highscreen представляет совершенно новую линейку Zera – первую линейку на 100% собственных устройств. Они созданы по OEM-схеме, которая исключает использование готовых наработок китайских фабрик. Смартфоны Zera полностью разработаны в Highscreen – с нуля: от дизайна корпуса и его материалов до подбора компонентов, включая память, чипсет, экран и пр. Китайские фабрики только собирают смартфоны Zera по спецификациям Highscreen.
Использование такой модели разработки и производства устройств – признак вхождения той или иной марки в «клуб А-брендов» (Apple, Sony, Nokia и другие крупные корпорации тоже создают смартфоны сами, а сборку заказывают по контракту «на стороне»). Бренды «второго эшелона» (B-бренды) по такой схеме практически никогда не работают – дорого и сложно!
Сегодняшняя новинка – первый смартфон новой линейки Zera – бюджетная модель Highscreen Zera F. Это – первый на 100% уникальный аппарат, созданный специалистами Highscreen по вышеописанной OEM-схеме.
Лучшим доказательством использования новой схемы разработки устройств является корпус Zera F. Он представляет собой «коктейль», ингредиенты которого взяты у лучших по дизайну флагманских смартфонов 2013 года – см. коллаж справа вверху. В итоге получился аутентичный продукт, который отлично выглядит – на порядок лучше, чем любые бюджетные ODM-смартфоны локальных марок образца 2013 года.
О том, какие именно дизайнерские наработки каких конкретно флагманских смартфонов были использованы при создании дизайна новой линейки Zera, можно узнать из данного видеоролика:
https://www.youtube.com/watch?v=DuAM1UcWzbc
Если коротко, то в дизайне Highscreen Zera F используются:
Оформление основной камеры от смартфонов Nokia Lumia – например, Lumia 1520.
Корпус из поликарбоната с бархатистым напылением – как у все тех же Nokia Lumia.
Вдавленный в поверхность задней панели логотип – как у LG Nexus 5.
Прямоугольная фронтальная часть – как у HTC Windows Phone 8X.
Решетка мультимедийного динамика – как у iPhone 5S.
В дополнение к уникальному дизайну Highscreen Zera F получил и ряд технических нововведений, совершенно НЕхарактерных для смартфонов ценой 4-5 тысяч рублей образца второй половины 2013 года. По сути Highscreen Zera F является первым бюджетным смартфоном с характеристиками уже нового 2014 года: модель оборудована 4-дюймовым IPS-экраном (вместо технологии TFT-TN, свойственной бюджетникам прошлого, 2013 года) с разрешением 800 х 480 точек, а также 1 Гб оперативной памяти (вместо 512 Мб, типичных для бюджетников 2013-го).
Специально для Highscreen Zera F с нуля разработан дизайн системной платы с чипсетом MediaTek MT6572 (2 ядра ARM Cortex-A7 + графика Mali-400MP). Последний был оптимизирован для работы в связке с 1 Гб оперативной памяти; кроме того, благодаря доработкам Highscreen у Zera F нет никаких проблем с 3G-сетями и работой GPS, регулярно встречающихся в недорогих устройствах 2013 года на платформах MediaTek.
Также в Highscreen Zera F предусмотрены камеры на 0,3 и 5 мегапикселей, слот для карт MicroSD, два гнезда для SIM-карт и аккумулятор емкостью 1 600 мАч. Функционирует Highscreen Zera F под управлением операционной системы Android 4.2.2 Jelly Bean, дополненной клиентом облачного сервиса 4sync. На нем обладателю новинки предоставляется 32 Гб пространства для хранения данных.
В комплекте со всеми смартфонами Zera идут зарядка и кабель с подсветкой. Блок зарядного устройства всегда светится синим, а кабель, в зависимости от заряда, красным (когда смартфон заряжается) и синим (когда аккумулятор заряжен).
Где и когда купить? Продажи Highscreen Zera F уже начались. Смартфон доступен в розничных сетях и фирменных магазинах «Вобис Компьютер», включая интернет-магазин (vobis.ru). Цена модели – 3 990 рублей.
О дальнейших планах. До конца марта в продаже появятся еще две модели серии Zera, разработанные с использованием аналогичного дизайна. Одна из них, Zera S, будет аппаратом среднего класса на основе 4-ядерного процессора MediaTek MT6582, вторая, Zera U, – флагманским смартфоном на базе 8-ядерного MT6592 с максимальным «фаршем», включая два сменных аккумулятора емкостью 4 000 и 2 000 мАч.
