Сеул, Корея, 7 декабря 2010 года — Компания Samsung Electronics объявила сегодня о разработке модуля регистровой памяти с двухрядным расположением выводов на основе передовой технологии Green DDR3 DRAM.

Новый модуль памяти, недавно прошедший испытания у ведущих клиентов Samsung, обеспечивает высочайшую производительность, в частности благодаря использованию метода трехмерной (3D) упаковки чипов под названием «сквозное вертикальное соединение» (through silicon via, TSV). Технология Samsung 3D-TSV позволяет решать взаимоисключающие задачи, такие как снижение энергопотребления серверов с одновременным увеличением объема памяти и повышением производительности.
«Отраслевые игроки продолжают совершенствовать технологии упаковки микросхем, чтобы достигать более высокой производительности и эксплуатационной эффективности. Samsung готов удовлетворять формирующийся спрос на продукты, выполненные по самой современной технологии TSV, – отметил Чанхьюн Ким, старший вице-президент Samsung Electronics по планированию производства продуктов памяти и разработке приложений. – Анонсированный сегодня модуль RDIMM на микросхемах 40-нанометрового класса знаменует собой появление более совершенного модельного ряда «зеленой» памяти, использующей технологию 3D-TSV. Эти продукты укрепят лидерство Samsung и наших партнеров на рынке серверов и корпоративных хранилищ данных».
Модуль памяти RDIMM емкостью 8 ГБ, использующий технологию Samsung 3D TSV, дает возможность экономить до 40% энергии по сравнению с обычными микросхемами RDIMM. Кроме того, технология TSV обеспечивает кардинальное увеличение емкости чипов, что поможет сократить количество разъемов для модулей оперативной памяти в серверных системах следующего поколения. Наряду с 30-процентным сокращением количества разъемов для памяти в серверах нового поколения технология TSV позволит повысить емкость модулей оперативной памяти более чем на 50 %, что делает ее привлекательной для высокопроизводительных серверных систем.
Согласно технологии TSV, в кристалле кремния проделываются вертикальные отверстия, которые затем заполняются медью. Заменив традиционные проводные соединения сквозными вертикальными соединениями, можно сделать сигнальные линии существенно короче, благодаря чему многоуровневая микросхема будет сравнима по производительности с цельным кремниевым чипом.
Модули памяти, использующие технологию TSV, уже прошли испытания у клиентов Samsung и готовы к применению в серверах с высокими требованиями к производительности и энергопотреблению.
Ожидается, что начиная с 2012 года технология 3D TSV начнет получать все более широкое распространение. Samsung планирует внедрить энергоэффективную и высокопроизводительную технологию TSV в микросхемах, выполняемых по технологическим нормам класса 30 нм* и менее.
Дополнительная информация о дружественной для экологии памяти Samsung DDR3 доступна по адресу www.samsung.com/GreenMemory

*Примечание: 30-нанометровый класс означает технологические нормы от 30 до 39 нанометров.